رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUD50N06-07L-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUD50N06-07L-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 96A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12919699
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUD50N06-07L-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
96A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
144 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SUD50
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
SUD50N06-07L-GE3CT
SUD50N0607LGE3
SUD50N06-07L-GE3TR
SUD50N06-07L-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SUD50N06-09L-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5732
DiGi رقم الجزء
SUD50N06-09L-E3-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPD50N06S4L08ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5818
DiGi رقم الجزء
IPD50N06S4L08ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
SI7454DDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
SI7464DP-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
