رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUD50P04-08-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUD50P04-08-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
9242 قطع جديدة أصلية في المخزون
12787178
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUD50P04-08-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.1mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
159 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5380 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SUD50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
SUD50P04-08-GE3TR
SUD50P04-08-GE3CT
SUD50P0408GE3
SUD50P04-08-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHD6N62ET1-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
SUP90N06-5M0P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB