رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUD50P10-43-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUD50P10-43-E3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 38A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12787003
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUD50P10-43-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
38A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
43mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5230 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-50°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SUD50
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SUD50P10-43L-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4019
DiGi رقم الجزء
SUD50P10-43L-GE3-DG
سعر الوحدة
1.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHFB20N50K-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
SIHP21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
SISA26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
