رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUM70040M-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUM70040M-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
المخزون:
799 قطع جديدة أصلية في المخزون
12918635
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUM70040M-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5100 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263-7
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
رقم المنتج الأساسي
SUM70040
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SUM70040M-GE3TR
SUM70040M-GE3CT
SUM70040M-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB049N08N5ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1859
DiGi رقم الجزء
IPB049N08N5ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STH145N8F7-2AG
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1775
DiGi رقم الجزء
STH145N8F7-2AG-DG
سعر الوحدة
1.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7655DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
SQP50P03-07_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
SI5440DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
