الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUM90N08-7M6P-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUM90N08-7M6P-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 90A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12920454
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUM90N08-7M6P-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3528 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SUM90
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF2807ZSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
139
DiGi رقم الجزء
IRF2807ZSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDB088N08
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
330
DiGi رقم الجزء
FDB088N08-DG
سعر الوحدة
1.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTA90N075T2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA90N075T2-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPB054N06N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1043
DiGi رقم الجزء
IPB054N06N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN6R5-80BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4297
DiGi رقم الجزء
PSMN6R5-80BS,118-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIRA24DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIA462DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
SUP36N20-54P-E3
MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB
SUD50N10-34P-T4-E3
MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252