رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUP60020E-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUP60020E-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
113 قطع جديدة أصلية في المخزون
12787461
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUP60020E-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
150A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10680 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SUP60020
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIR403EDP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIS330DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
SIRA90DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
