رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUP70060E-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUP70060E-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
12787500
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUP70060E-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Bulk
سلسلة
ThunderFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
131A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3330 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SUP70060
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD19531KCS
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
163
DiGi رقم الجزء
CSD19531KCS-DG
سعر الوحدة
0.82
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFP180N10T2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFP180N10T2-DG
سعر الوحدة
3.00
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQS423EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
SIHB15N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
SQP90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
