رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
VP0808B-2
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
VP0808B-2-DG
وصف:
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
وصف تفصيلي:
P-Channel 80 V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39
المخزون:
12787777
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
VP0808B-2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
880mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
150 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
6.25W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-39
العبوة / العلبة
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
رقم المنتج الأساسي
VP0808
معلومات إضافية
الباقة القياسية
20
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIB433EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
VP0808B
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
SUP50010E-GE3
MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
