رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF830AL
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF830AL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK
المخزون:
13049710
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF830AL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
التغليف
Tube
حالة الجزء
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
620 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I2PAK
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IRF830
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF830AL
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF830ALPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRF830ALPBF-DG
سعر الوحدة
0.89
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N6661JTXP02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
IRF840SPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK