IRFR214TRLPBF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFR214TRLPBF

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFR214TRLPBF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 2.2A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK

المخزون:

13051815
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFR214TRLPBF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
140 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IRFR214

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IRFR214TRLPBFDKR
IRFR214TRLPBF-ND
IRFR214TRLPBFCT
IRFR214TRLPBFTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRFR214TRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1947
DiGi رقم الجزء
IRFR214TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay

IRF520STRR

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

vishay

IRFU120

MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA

vishay

IRF9530S

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

vishay

IRFI840GLC

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3