رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI1416EDH-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI1416EDH-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 3.9A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
المخزون:
40484 قطع جديدة أصلية في المخزون
13054794
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI1416EDH-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
58mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-70-6
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
SI1416
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI1416EDH-T1-GE3TR
SI1416EDH-T1-GE3DKR
SI1416EDH-T1-GE3-ND
SI1416EDH-T1-GE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
IRFP450LCPBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
SI4825DY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
