رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI1469DH-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI1469DH-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6
المخزون:
14567 قطع جديدة أصلية في المخزون
13061697
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI1469DH-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
470 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-70-6
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
SI1469
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI1469DH-T1-E3DKR
SI1469DH-T1-E3TR
SI1469DHT1E3
SI1469DH-T1-E3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIR892DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
SI3467DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6TSOP
SQM120N10-09_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
