رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI4456DY-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI4456DY-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 33A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
2500 قطع جديدة أصلية في المخزون
13062361
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI4456DY-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
TrenchFET®
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5670 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
SI4456
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI4456DYT1E3
SI4456DY-T1-E3TR
SI4456DY-T1-E3DKR
SI4456DY-T1-E3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4168DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
SI7621DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
SUP90N04-3M3P-GE3
MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
