رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHG73N60AE-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHG73N60AE-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
المخزون:
13007874
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHG73N60AE-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
E
التغليف
Tube
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
394 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5500 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
417W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SIHG73
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW69N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
485
DiGi رقم الجزء
STW69N65M5-DG
سعر الوحدة
7.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FCH041N60F
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
365
DiGi رقم الجزء
FCH041N60F-DG
سعر الوحدة
7.37
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FCH041N60E
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
130
DiGi رقم الجزء
FCH041N60E-DG
سعر الوحدة
7.29
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPW60R045CPAFKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
83
DiGi رقم الجزء
IPW60R045CPAFKSA1-DG
سعر الوحدة
12.42
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SUD42N03-3M9P-GE3
MOSFET N-CH 30V 42A TO252
SIR640DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SUP90N15-18P-E3
MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB