رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR186DP-T1-RE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR186DP-T1-RE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
6171 قطع جديدة أصلية في المخزون
13006287
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR186DP-T1-RE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta), 60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.6V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1710 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIR186
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
SIHF35N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
SIHB6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
