SUM45N25-58-E3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SUM45N25-58-E3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SUM45N25-58-E3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 45A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 45A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

6328 قطع جديدة أصلية في المخزون
13058962
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SUM45N25-58-E3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
45A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
58mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SUM45

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SUM45N25-58-E3DKR
SUM45N2558E3
SUM45N25-58-E3TR
SUM45N25-58-E3CT
SUM45N25-58-E3-ND

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK

vishay

SIB417AEDK-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6

vishay

SI7882DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

vishay

SIB415DK-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6