رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUJ105A,127
Product Overview
المُصنّع:
WeEn Semiconductors
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUJ105A,127-DG
وصف:
TRANS NPN 400V 8A TO220AB
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 80 W Through Hole TO-220AB
المخزون:
13480502
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUJ105A,127 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
WeEn Semiconductors
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
8 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
400 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 800mA, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
13 @ 500mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
80 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
رقم المنتج الأساسي
BUJ105
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
1740-1419
934055527127
BUJ105A
BUJ105A,127-ND
BUJ105A-ND
BUJ105A127
568-8338-5-ND
568-8338-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUJ100,126
TRANS NPN 400V 1A TO92-3
PHE13003A,412
TRANS NPN 400V 1A TO92-3
BUJD105AD,118
TRANS NPN 400V 8A DPAK