رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
WNSC2M1K0170WQ
Product Overview
المُصنّع:
WeEn Semiconductors
رقم الجزء DiGi Electronics:
WNSC2M1K0170WQ-DG
وصف:
WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
وصف تفصيلي:
N-Channel 1700 V 7A (Ta) 79W (Ta) Through Hole TO-247-3
المخزون:
12995335
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
WNSC2M1K0170WQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
WeEn Semiconductors
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
15V, 18V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1Ohm @ 1A, 18V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.2V @ 800µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 18 V
Vgs (ماكس)
+22V, -10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
225 pF @ 1000 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
79W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
WNSC2
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
240
اسماء اخرى
934073006127
1740-WNSC2M1K0170WQ
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SGT120R65AL
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
STL15N60DM6
DISCRETE
PHM2230DLSX
MOSFET