رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CPMF-1200-S080B
Product Overview
المُصنّع:
Wolfspeed, Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
CPMF-1200-S080B-DG
وصف:
SICFET N-CH 1200V 50A DIE
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die
المخزون:
13232567
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CPMF-1200-S080B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Wolfspeed
تعبئة
-
سلسلة
Z-FET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
20V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
90.8 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+25V, -5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1915 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
313mW (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Die
العبوة / العلبة
Die
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
E3M0120090D
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
C2M1000170J-TR
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
C3M0065100K
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L