رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ALD1108ESCL
Product Overview
المُصنّع:
Advanced Linear Devices Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
ALD1108ESCL-DG
وصف:
MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 10V 600mW Surface Mount 16-SOIC
المخزون:
13216845
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ALD1108ESCL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Advanced Linear Devices
تعبئة
Tube
الشركه المصنعه
Advanced Linear Devices Inc.
سلسلة
EPAD®
التغليف
Tube
حالة الجزء
Not For New Designs
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
4 N-Channel, Matched Pair
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500Ohm @ 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.01V @ 1µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
25pF @ 5V
الطاقة - الحد الأقصى
600mW
درجة حرارة التشغيل
0°C ~ 70°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
16-SOIC
رقم المنتج الأساسي
ALD1108
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ALD110904PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD310704ASCL
MOSFET 4P-CH 8V 16SOIC
ALD212908ASAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
