الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AO5800E
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AO5800E-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V SC89-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 400mW Surface Mount SC-89-6
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12849813
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AO5800E المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.6Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
400mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SC-89-6
رقم المنتج الأساسي
AO580
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
AO5800E
ورقة بيانات HTML
AO5800E-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
AO5800E-DG
785-1560-6
785-1560-2
785-1560-1
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI1026X-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
292563
DiGi رقم الجزء
SI1026X-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
2N7002BKV,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
27528
DiGi رقم الجزء
2N7002BKV,115-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMG1026UV-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
42978
DiGi رقم الجزء
DMG1026UV-7-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
2N7002PV,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
10544
DiGi رقم الجزء
2N7002PV,115-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
NTZD5110NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
21588
DiGi رقم الجزء
NTZD5110NT1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOP607
MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
FDY4001CZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A SOT563F
AON6812
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8DFN
AO4884L_001
MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC