الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOB412L
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOB412L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 8.2A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12849179
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOB412L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
SDMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.2A (Ta), 60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3220 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.6W (Ta), 150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
AOB412
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
AOB412L
ورقة بيانات HTML
AOB412L-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF8010STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3480
DiGi رقم الجزء
IRF8010STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF3610STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
200
DiGi رقم الجزء
IRF3610STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.36
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SUM60N10-17-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
437
DiGi رقم الجزء
SUM60N10-17-E3-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
HUF75645S3ST
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
25585
DiGi رقم الجزء
HUF75645S3ST-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN016-100BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3321
DiGi رقم الجزء
PSMN016-100BS,118-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMA8884
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET
AO6424
MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP
FQPF9N25CYDTU
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
AON7408L
MOSFET N-CH 30V 7.5A/20A 8DFN