رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOTF262L
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOTF262L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 17.5A (Ta), 85A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-220F
المخزون:
12849264
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOTF262L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17.5A (Ta), 85A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8140 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
AOTF262
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
AOTF262L-DG
5202-AOTF262L
785-1714-5
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK100A06N1,S4X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
25
DiGi رقم الجزء
TK100A06N1,S4X-DG
سعر الوحدة
1.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STF40NF06
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3508
DiGi رقم الجزء
STF40NF06-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
