رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK100A06N1,S4X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK100A06N1,S4X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
25 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890725
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK100A06N1,S4X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10500 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK100A06
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK100A06N1,S4X(S
TK100A06N1,S4X-DG
TK100A06N1S4X
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF140N6F7
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
976
DiGi رقم الجزء
STF140N6F7-DG
سعر الوحدة
0.85
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA029N06NXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
494
DiGi رقم الجزء
IPA029N06NXKSA1-DG
سعر الوحدة
1.38
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPC6009-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6
TK6A53D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
TPW1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
