رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPC6009-H(TE85L,FM
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPC6009-H(TE85L,FM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 5.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
المخزون:
12890730
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPC6009-H(TE85L,FM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSVI-H
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
81mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
290 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
VS-6 (2.9x2.8)
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
TPC6009
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPC6009-H(TE85LFM
TPC6009HTE85LFM
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SSM3K341R,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
37994
DiGi رقم الجزء
SSM3K341R,LF-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PMN30ENEAX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
21100
DiGi رقم الجزء
PMN30ENEAX-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK6A53D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
TPW1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
TPCA8007-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
