رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK6A53D(STA4,Q,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK6A53D(STA4,Q,M)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 525 V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
12890731
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK6A53D(STA4,Q,M) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
π-MOSVII
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
525 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK6A53
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK6A53D(STA4QM)
TK6A53DSTA4QM
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R5007FNX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
212
DiGi رقم الجزء
R5007FNX-DG
سعر الوحدة
1.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP5NK50ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
849
DiGi رقم الجزء
STP5NK50ZFP-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPW1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
TPCA8007-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
TPCA8128,LQ(CM
MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP
