DMN2009UFDF-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN2009UFDF-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN2009UFDF-7-DG

وصف:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 12.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

المخزون:

13002570
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
5m3E
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMN2009UFDF-7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1083 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
U-DFN2020-6 (Type F)
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
DMN2009

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-DMN2009UFDF-7

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
goford-semiconductor

G75P04D5

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

epc-space

EPC7019GC

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

rohm-semi

R6027YNXC7G

NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO