رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT6009LSS-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT6009LSS-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 10.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
8665 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889449
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT6009LSS-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1925 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.25W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
DMT6009
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMT6009LSS-13DITR
DMT6009LSS-13DIDKR
DMT6009LSS-13DICT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK2744(F)
MOSFET N-CH 50V 45A TO3P
TK8A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
TK8A10K3,S5Q
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
