رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SK2744(F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SK2744(F)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 50V 45A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 45A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
المخزون:
12889452
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SK2744(F) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
45A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2300 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P(N)
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
2SK2744
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK40E06N1,S1X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
38
DiGi رقم الجزء
TK40E06N1,S1X-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK8A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
TK8A10K3,S5Q
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
SSM3J304T(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
