رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT6013LFDF-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT6013LFDF-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 10A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
المخزون:
12882005
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT6013LFDF-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1081 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
900mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
U-DFN2020-6 (Type F)
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
DMT6013
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMT6013LFDF-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMT6013LFDF-7-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP7NB60
MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220AB
DMN67D8LW-7
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
DMN601TK-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
