رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMTH10H1M7STLWQ-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMTH10H1M7STLWQ-13-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 250A (Tc) 6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount POWERDI1012-8
المخزون:
1473 قطع جديدة أصلية في المخزون
12966553
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMTH10H1M7STLWQ-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
147 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9871 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
6W (Ta), 250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
POWERDI1012-8
العبوة / العلبة
8-PowerSFN
رقم المنتج الأساسي
DMTH10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
31-DMTH10H1M7STLWQ-13CT
31-DMTH10H1M7STLWQ-13DKR
31-DMTH10H1M7STLWQ-13TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMTH10H1M7STLW-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMTH10H1M7STLW-13-DG
سعر الوحدة
2.39
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQM40016EM_GE3
MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
PJA3401_R1_00001
SOT-23, MOSFET
IPW65R018CFD7XKSA1
650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
