رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQM40016EM_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQM40016EM_GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 250A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263-7
المخزون:
12966561
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQM40016EM_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263-7
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
رقم المنتج الأساسي
SQM40016
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SQM40016EM_GE3DKR
SQM40016EM_GE3CT
SQM40016EM_GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB011N04NGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3890
DiGi رقم الجزء
IPB011N04NGATMA1-DG
سعر الوحدة
1.48
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPB011N04LGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2493
DiGi رقم الجزء
IPB011N04LGATMA1-DG
سعر الوحدة
2.41
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJA3401_R1_00001
SOT-23, MOSFET
IPW65R018CFD7XKSA1
650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
TPH3R704PC,LQ
MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
