رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMP3A16DN8TA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMP3A16DN8TA-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 4.2A 1.8W Surface Mount 8-SO
المخزون:
310 قطع جديدة أصلية في المخزون
12885180
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMP3A16DN8TA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29.6nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1022pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.8W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
ZXMP3A16
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
ZXMP3A16DN8DKRINACTIVE
ZXMP3A16DN8DKR
ZXMP3A16DN8DKR-DG
ZXMP3A16DN8CT-NDR
ZXMP3A16DN8CT
ZXMP3A16DN8TR-NDR
ZXMP3A16DN8TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7316TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
17485
DiGi رقم الجزء
IRF7316TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMD63P03XTA
MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
ZXMC10A816N8TC
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
ZDM4206NTA
MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
