رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDA18N50
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDA18N50-DG
وصف:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
1564 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946683
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDA18N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
265mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2860 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
239W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
169
اسماء اخرى
2156-FDA18N50
ONSONSFDA18N50
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQP8N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FQPF630
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
