رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP8N60C
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP8N60C-DG
وصف:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
6143 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946686
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP8N60C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1255 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
147W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
معلومات إضافية
الباقة القياسية
247
اسماء اخرى
2156-FQP8N60C
ONSONSFQP8N60C
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF630
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
FDD8782
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3