رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF9P25YDTU
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF9P25YDTU-DG
وصف:
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 250 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
المخزون:
705 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946443
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF9P25YDTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
620mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1180 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3 (Y-Forming)
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
352
اسماء اخرى
ONSFSCFQPF9P25YDTU
2156-FQPF9P25YDTU
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCU850N80Z
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
AUIRF1324STRL
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
FDZ661PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
