رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
G080P06T
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
G080P06T-DG
وصف:
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
90 قطع جديدة أصلية في المخزون
13309539
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
G080P06T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
TrenchFET®
التغليف
Tube
حالة الجزء
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
195A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
14692 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
294W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
4822-G080P06T
3141-G080P06T
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
G130N06M
N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
GT023N10T
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
SSM6K804R,LF
N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.