رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
G11S
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
G11S-DG
وصف:
P-20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 11A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
1730 قطع جديدة أصلية في المخزون
13001113
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
G11S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2455 pF @ 10 V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
3141-G11STR
3141-G11SCT
3141-G11SDKR
4822-G11STR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMPB07R0UNAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
PJA3434_R2_00001
MOSFET 20V 750MA SOT-23
IPP014N06NF2SAKMA2
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
