رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AUIRF3315STRL
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
AUIRF3315STRL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12798807
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AUIRF3315STRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
82mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SP001520192
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOB256L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOB256L-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDB390N15A
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3438
DiGi رقم الجزء
FDB390N15A-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC009NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
AUIRFBA1405
MOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220
BSZ025N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
