رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AUIRF7103Q
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
AUIRF7103Q-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12837809
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AUIRF7103Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
255pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
2.4W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
AUIRF7103
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
SP001521578
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AUIRF7103QTR
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AUIRF7103QTR-DG
سعر الوحدة
1.45
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDC6327C
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
FDS4935
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
