FDC6327C
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDC6327C

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDC6327C-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.7A, 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

المخزون:

6259 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837858
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDC6327C المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A, 1.9A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
325pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
700mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
رقم المنتج الأساسي
FDC6327

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDC6327CDKR
FDC6327CTR
FDC6327C-DG
FDC6327CCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDC6401N

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6

onsemi

FDS4935

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

onsemi

FW811-TL-E

MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP

onsemi

EFC2K103NUZTDG

MOSFET 2N-CH 12V 40A 10WLCSP