رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDC6327C

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDC6327C-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 20V 2.7A, 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

المخزون:

6259 قطع جديدة أصلية في المخزون

12837858

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDC6327C المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

N and P-Channel

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

2.7A, 1.9A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

80mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

325pF @ 10V

الطاقة - الحد الأقصى

700mW

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

حزمة جهاز المورد

SuperSOT™-6

رقم المنتج الأساسي

FDC6327

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDC6327CDKR

FDC6327CTR

FDC6327C-DG

FDC6327CCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

FDC6401N

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6

onsemi

FDS4935

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

onsemi

FW811-TL-E

MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP

onsemi

EFC2K103NUZTDG

MOSFET 2N-CH 12V 40A 10WLCSP