الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCR148E6433HTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCR148E6433HTMA1-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12799261
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCR148E6433HTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
47 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
100 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
رقم المنتج الأساسي
BCR148
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BCR148
مخططات البيانات
BCR148E6433HTMA1
ورقة بيانات HTML
BCR148E6433HTMA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
BCR 148 E6433
BCR 148 E6433-DG
SP000426390
BCR148E6433HTMA1TR-DGTR-DG
448-BCR148E6433HTMA1TR
2156-BCR148E6433HTMA1TR
BCR148E6433HTMA1TR
BCR148E6433HTMA1TR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
NSVMMUN2212LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
25
DiGi رقم الجزء
NSVMMUN2212LT1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDTC125TCA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
9000
DiGi رقم الجزء
DDTC125TCA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
NSVMUN2237T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NSVMUN2237T1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MMUN2211LT3G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
48095
DiGi رقم الجزء
MMUN2211LT3G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDTC115GCA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTC115GCA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BCR183WE6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
BCR553E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
BCR135WE6327BTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
BCR 114L3 E6327
TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3