الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCR185SB6327XT
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCR185SB6327XT-DG
وصف:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12853859
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCR185SB6327XT المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
التردد - الانتقال
200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
250mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
PG-SOT363-PO
رقم المنتج الأساسي
BCR185
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BCR185
مخططات البيانات
BCR185SB6327XT
ورقة بيانات HTML
BCR185SB6327XT-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30,000
اسماء اخرى
BCR185SB6327XTTR-NDTR
BCR 185S B6327-DG
SP000056342
BCR 185S B6327
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PUMB11,135
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7675
DiGi رقم الجزء
PUMB11,135-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MUN5114DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
13071
DiGi رقم الجزء
MUN5114DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDA143TU-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
7904
DiGi رقم الجزء
DDA143TU-7-F-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDA114TU-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4294
DiGi رقم الجزء
DDA114TU-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDA113TU-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
10
DiGi رقم الجزء
DDA113TU-7-F-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MUN5215DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5312DW1T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
BCR135SH6327XTSA1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5214DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363