رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC024NE2LSATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC024NE2LSATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 25A (Ta), 110A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
المخزون:
5426 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801895
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC024NE2LSATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Ta), 110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1700 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-5
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC024
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC024NE2LSCT
BSC024NE2LSDKR
BSC024NE2LSCT-DG
BSC024NE2LSATMA1TR
BSC024NE2LSTR-DG
BSC024NE2LS
BSC024NE2LSDKR-DG
BSC024NE2LS-DG
SP000756342
BSC024NE2LSATMA1CT
BSC024NE2LSATMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
IPA65R1K5CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
BSZ084N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
