الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC026N02KSGAUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC026N02KSGAUMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
المخزون:
1482 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802355
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC026N02KSGAUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52.7 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7800 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC026
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BSC026N02KS G
مخططات البيانات
BSC026N02KSGAUMA1
ورقة بيانات HTML
BSC026N02KSGAUMA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC026N02KS GDKR-DG
BSC026N02KSGAUMA1TR
BSC026N02KSGAUMA1DKR
SP000379664
BSC026N02KS GCT
BSC026N02KS G
BSC026N02KSG
BSC026N02KS G-DG
BSC026N02KS GCT-DG
BSC026N02KS GTR
BSC026N02KS GTR-DG
BSC026N02KS GDKR
BSC026N02KSGAUMA1CT
2156-BSC026N02KSGAUMA1
INFINFBSC026N02KSGAUMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSC018NE2LSATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
11357
DiGi رقم الجزء
BSC018NE2LSATMA1-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRF3504
MOSFET N-CH 40V 87A TO220AB
BSP296NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
AUIRLR2905ZTRL
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
AUIRF3805L-7P
MOSFET N-CH 55V 160A TO262