رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC030N04NSGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC030N04NSGATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
المخزون:
44915 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799552
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC030N04NSGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 49µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4900 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC030
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC030N04NS GCT-DG
BSC030N04NSGATMA1DKR
SP000354811
BSC030N04NS GDKR
BSC030N04NS G
BSC030N04NS GCT
BSC030N04NSGATMA1TR
BSC030N04NSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC030N04NSG
BSC030N04NS GTR
BSC030N04NS GTR-DG
BSC030N04NSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC030N04NSGATMA1CT
BSC030N04NS G-DG
BSC030N04NS GDKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS215PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
IPA093N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
