رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA50R650CEXKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA50R650CEXKSA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 4.6A (Tc) 27.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
المخزون:
12799566
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA50R650CEXKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™ CE
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
13V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
342 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
27.2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA50R
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-IPA50R650CEXKSA2
INFINFIPA50R650CEXKSA2
SP001217232
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK9A55DA(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
50
DiGi رقم الجزء
TK9A55DA(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPA040N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
