رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC072N08NS5ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC072N08NS5ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 74A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
المخزون:
33119 قطع جديدة أصلية في المخزون
12798544
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC072N08NS5ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
74A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.2mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 36µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2100 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-7
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC072
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC072N08NS5ATMA1TR
BSC072N08NS5ATMA1DKR
BSC072N08NS5ATMA1CT
BSC072N08NS5ATMA1-DG
SP001232628
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRFR2407TRL
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
BSO080P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
BSC018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
