رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC109N10NS3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC109N10NS3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
المخزون:
38915 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799626
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC109N10NS3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
63A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.9mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 45µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC109
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC109N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC109N10NS3 G-DG
BSC109N10NS3 GCT-DG
BSC109N10NS3GATMA1TR
BSC109N10NS3 G
SP000778132
BSC109N10NS3 GDKR
BSC109N10NS3 GDKR-DG
BSC109N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC109N10NS3G
BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3GATMA1CT
BSC109N10NS3GATMA1DKR
BSC109N10NS3GXT
BSC109N10NS3 GTR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
