رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSL372SNH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSL372SNH6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6
المخزون:
12801430
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSL372SNH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 218µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
329 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSOP6-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SP000942920
IFEINFBSL372SNH6327XTSA1
2156-BSL372SNH6327XTSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN10H170SVT-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
5799
DiGi رقم الجزء
DMN10H170SVT-7-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PMN280ENEAX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3789
DiGi رقم الجزء
PMN280ENEAX-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB049N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
IPP530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
IPA60R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
